特許
J-GLOBAL ID：200903013152311460
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322133
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145057
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】結晶性の良い窒化ガリウム系化合物半導体基板を得ること。【解決手段】サファイア基板1の上にZnO の第1層2が、その上にGa0.8In0.2Nの第2層の下層31と、その上にGaN の第2層の上層32が形成されている。層32の上には、SiO2の膜厚約2000Åの第3層4がストライプ状又は格子状に形成されている。第3層4の上部領域A及び第2層の上層32の露出領域B上にGaNの第4層5を成長させる。GaN は、層32の露出領域BのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。第3層4の上部領域Aでは、層32の露出領域B上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長するので、第3層4の上部領域Aである横方向成長領域では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。この後、第1層2を湿式エッチングして、基板1から剥離させる。
請求項（抜粋）：
基板上に湿式エッチング可能な第1層を形成し、前記第1層上に、第1の窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2層を形成し、その第2層の上に、第2層の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第3層を形成し、前記第3層で覆われていない前記第2層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、前記第3層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで第2の窒化ガリウム系化合物半導体から成る第4層を形成し、前記第1層をエッチングする溶液を用いた湿式エッチングにより、前記基板から剥離させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C30B 29/38
, H01L 33/00
H01L 21/20
, C30B 29/38
, H01L 33/00 C
