特許

J-GLOBAL ID：200903013153224536

半導体装置及びそれを用いたインバータ装置

発明者： 桜井 直樹 ,  長州 正浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172274
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037294
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、低損失で漏れ電流の小さい半導体装置を提供する。【構成】第1導電型p+の第1の半導体層1と、前記第1の半導体層1に隣接し、第1の半導体層より広いバンドギャップを持つ第2導電型(n-)の第2の半導体層2とからなるpn接合を持っている半導体スイッチング素子である。【効果】第1の半導体層よりも第2の半導体層のバンドギャップが広いので、第1の半導体層より注入されるキャリアの障壁が小さくなる。このためオン電圧が小さくなり、低損失化できる。また、第2の半導体層のバンドギャップが広いので漏れ電流を小さくできる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層に隣接する第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層に隣接する第1導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層に形成される第2導電型の第4の半導体層と、を備え、第2の半導体層の半導体材料のバンドギャップが、第1半導体層の半導体材料のバンドギャップよりも広いことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電気車の電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139114   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-051363
  
• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257993   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-271638