特許
J-GLOBAL ID：200903013167754511

半導体ウエハを加熱するためのマルチランプ円錐体を含む加熱装置

発明者：
ケヴィン ハザウェイ

ケヴィン ハザウェイ について


出願人/特許権者：
ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド

ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569426
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524871
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：
【要約】半導体ウエハを熱処理するための装置が開示されている。装置は、光エネルギをウエハ上に放射するために光エネルギ源のアセンブリを収容した加熱装置を含んでいる。特に、本発明は、少なくとも1つの加熱円錐体を収容した加熱装置に関する。本発明の加熱円錐体は、円錐形であることができる円形反射器を有している。複数の光エネルギ源が反射器内に収容されている。光エネルギ源は、垂直に向けられているか、加熱円錐体の中心軸線に向かって僅かに傾斜させられていることができる。この配列では、加熱円錐体が、加熱されるウエハ上に均一な照射分布を生ぜしめることが分かった。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを熱処理するための装置において、 半導体ウエハを収容するための熱処理チャンバと、 電磁エネルギを使用して、前記チャンバに収容された半導体ウエハを加熱するための前記熱処理チャンバと協働する加熱装置とが設けられており、該加熱装置が、前記半導体ウエハに対して垂直な軸線を有する少なくとも1つの加熱円錐体を有しており、該加熱円錐体が、円錐形反射器内に位置決めされた複数の光エネルギ源を有しており、前記円錐形反射器の直径が、前記半導体ウエハに向かう方向で漸減していることを特徴とする、半導体ウエハを熱処理するための装置。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/26 T
Fターム (10件)：
5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK01 ,  5F045EK12 ,  5F045EK21 ,  5F045EK22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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