特許

J-GLOBAL ID：200903013168602715

半導体装置及びその製造方法

発明者： 勝又 竜太 ,  鬼頭 傑 ,  福住 嘉晃 ,  木藤 大 ,  田中 啓安 ,  松岡 泰之 ,  青地 英明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-264858
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094364
出願日： 2007年10月10日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソースコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】半導体装置40では、半導体基板1の上部に、第1のソース層2aが設けられ、第1のソース層2a内に第1のソース層2aより深く、凹部3を有する第2のソース層2bが設けられる。凹部3上には、積層された第1の層間絶縁膜4a、ゲート電極膜5、及び第2の層間絶縁膜4bを貫通するようにゲート開口部が設けられる。側面にゲート絶縁膜6が設けられたゲート開口部には、第3のソース層2c、チャネル部7、及びドレイン層8が積層埋設される。第3のソース層2cは、下部が第2のソース層2bと接するように、凹部3上及びゲート開口部に埋設される。第1の層間絶縁膜4aと凹部3の間に突起状のゲート絶縁膜凸部6aが設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板表面に設けられ、ソース及びドレインの一方となる第1の導電層と、 前記第1の導電層上に設けられた第1の層間絶縁膜と、 前記第1の層間絶縁膜上に設けられたゲート電極膜と、 前記ゲート電極膜上に設けられた第2の層間絶縁膜と、 前記第2の層間絶縁膜、前記ゲート電極膜、及び前記第1の層間絶縁膜を貫通し、前記第1の導電層の一部を露出するように設けられたゲート開口部と、 前記ゲート開口部直下の前記第1の導電層表面に設けられた凹部と、 前記ゲート開口部の側面に設けられ、前記第1の層間絶縁膜と前記凹部の間が突起状の形状を有するゲート絶縁膜と、 前記凹部及び前記ゲート開口部の底部に、前記ゲート絶縁膜と接するように埋設され、前記第1の導電層と接し、ソース及びドレインの一方となる第2の導電層と、 前記第2の導電層上の前記ゲート開口部に、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極膜と接するように埋設され、ゲートに印加される電圧によりソース及びドレインの一方と他方の間に多数キャリアが流れるチャネル層が発生するチャネル部と、 前記チャネル部上の前記ゲート開口部に、前記ゲート絶縁膜と接するように埋設され、ソース及びドレインの他方となる第3の導電層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336

FI (10件)：

H01L29/78 653B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L ,  H01L21/88 J ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 301X

Fターム (75件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F033HH00 ,  5F033HH05 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN13 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033XX09 ,  5F140AA10 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF34 ,  5F140BF42 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BF59 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH26 ,  5F140BH27 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ29 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK17 ,  5F140BK21 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5308778号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 垂直方向ゲートトランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-061239   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060426   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-063095   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド