特許
J-GLOBAL ID：200903013170776569

透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者：
阿部 能之

阿部 能之 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (2件)： 鴨田 朝雄 ,  鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330058
公開番号（公開出願番号）：特開2004-052102
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】表面平滑性に優れ、比抵抗が6.0×10-4Ω・cm以下と低く、アニール処理による170°Cの加熱によっても表面平滑性と比抵抗の性質が変化せず、かつ透過率の高い透明導電性薄膜を提供する。【解決手段】スパッタリング後の薄膜が、酸化インジウムを主成分とし、タングステンおよび/またはモリブデンを(W+Mo)/In原子数比で0.0040〜0.0470の割合で含有するように、酸化インジウム粉末と酸化タングステン粉末を調合・成形し、該成形体を加熱・焼結することより得たターゲットを用いて、基板を120°C以下に維持してスパッタリング法により基板上に、非結晶の相から構成される透明導電性薄膜を作製する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スパッタリング後の薄膜が、酸化インジウムを主成分とし、タングステンおよび/またはモリブデンを(W+Mo)/In原子数比で0.0040〜0.0470の割合で含有するように、酸化インジウム粉末と、酸化タングステン粉末および/または酸化モリブデン粉末を調合および成形し、該成形体を加熱および焼結することにより得ることを特徴とするタングステンおよび/またはモリブデンを含有する酸化インジウム焼結体からなる透明導電性薄膜用ターゲット。
IPC (5件)：
C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (6件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/34 N ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
Fターム (26件)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007BA07 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA31 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029DC01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA08 ,  5G307FB01 ,  5G307FC06 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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