ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095523
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276458
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、現像欠陥、レジストパターンの倒れが改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、特に液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。【解決手段】(A)脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位と、ナフタレン構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位と、ナフタレン構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (13件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025FA03

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭57-153433号公報
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008136 出願人：株式会社日立製作所
液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン

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