特許
J-GLOBAL ID：200903013190440605
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-112330
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153933
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 レーザの発振しきい値電流を低下させること。【構成】活性層5をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層4,6で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1) から成るレーザダイオードにおいて、活性層5を、Mgが添加された後電子線又はレーザの照射又は窒素ガスのプラズマ中での熱処理によりp型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成した。この結果、活性層のバンド間発光効率を高めることができたため、発振しきい値電流が低下した。
請求項（抜粋）：
活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、前記活性層を、Mgが添加されたp型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
引用特許：
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