半導体装置、表示装置、及び、その製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207566
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】30μm以下の電極ピッチを有する半導体素子を回路基板に電気的に接続することを可能にし、半導体素子の高密度実装を実現する。【解決手段】回路基板7にインターポーザ1をフェイスダウン接続し、半導体素子4をインターポーザ1へフェイスダウン接続することにより、半導体素子4は半導体配線間隔レベルで接続できるとともに、回路基板7には従来のピッチで接続することが可能となる。さらに、インターポーザに、機能回路が組み込まれた半導体基板を用いることにより、基板サイズが大幅に削減可能となり、製品の小型化に大きく貢献する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の回路が設けられ、かつ外表面に電極が設けられた半導体素子と、前記電極と接続する第一の接続電極と、前記第一の接続電極より外側に設けられた第二の接続電極とが形成されるとともに、前記半導体素子がフェイスダウン実装されたインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板が前記第二の接続電極を用いてフェイスダウン実装された回路基板と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/14 , H05K1/18 , H05K3/32

FI (5件)：

H01L21/60 311Q , H05K1/18 P , H05K3/32 C , H01L23/12 F , H01L23/14 S

Fターム (21件)：

5E319AA03 , 5E319AA09 , 5E319AB06 , 5E319AC03 , 5E319CC12 , 5E319GG01 , 5E319GG15 , 5E336AA04 , 5E336AA07 , 5E336BB01 , 5E336BB12 , 5E336BB16 , 5E336BC02 , 5E336CC34 , 5E336CC36 , 5E336CC58 , 5E336EE05 , 5E336GG30 , 5F044KK03 , 5F044KK05 , 5F044LL00

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体モジュールの構造とその取り付け方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-322338 出願人：東洋通信機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-067585 出願人：日本電気株式会社
特開昭53-014561

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