特許

J-GLOBAL ID：200903013193300839

高品質シリコン単結晶

発明者： 江頭 和幸 ,  奥井 正彦 ,  倉垣 俊二 ,  田中 忠美
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358833
公開番号（公開出願番号）：特開平11-130593
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】CZ法によって育成されるシリコン単結晶であって、結晶面内に現れるR-OSF(リング状の酸化誘起積層欠陥)の幅が育成された結晶の半径の8%を超えて、転位クラスター欠陥がないことを特徴とする高品質シリコン単結晶。上記のR-OSFの観察は、As-grown状態の単結晶から加工したウェーハをCu溶液に浸けて、Cuを付着させ、900°C×20minのCuデコレーション熱処理を行ない、X線トポグラフにより、また、As-grown状態の単結晶から加工したウェーハを熱処理炉内に650°Cで投入して、投入後8°C/min以下で昇温して900°C×20時間および1000°C×10時間の熱処理後、X線トポグラフによる酸素析出の分布観察によって行われる。【効果】面内をGrown-in欠陥である赤外散乱体や転位クラスターのない領域にできるので、デバイス特性に優れた半導体材料を供給できる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって育成されるシリコン単結晶であって、As-grown状態の単結晶から加工したウェーハをCu溶液に浸けて、Cuを付着させ、900°C×20minのCuデコレーション熱処理を行ない、X線トポグラフにて観察すると、結晶面内に現れるリング状の酸化誘起積層欠陥の幅が育成された結晶の半径の8%を超えて、転位クラスター欠陥がないことを特徴とする高品質シリコン単結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/22 ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 502 Z ,  C30B 15/22 ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172237   出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社