半導体ウェーハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308368
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】表面平坦度が高い半導体ウェーハの製造方法を提供する。エッチング工程でのエッチング量・エッチング時間を減じて、スループットを高める。【解決手段】面取り加工が施された半導体ウェーハをラップ盤でラップする。この後、この半導体ウェーハのラップされた表裏両面を、高番手(#2500)の研削砥石を用いて順番に平面研削する。片面毎に平面研削する。その後、この表裏両面を同時に研磨する。ラップ面には、所定のダメージが残っているため、研削砥石での平面研削を行える。研削によりラップドダメージを除去する。ラップドダメージ層の研削では、大きめの切り屑が発生する。磨滅した砥粒が脱落する。刃先に付着した切り屑が飛ぶ。ボンド磨耗が進行する。その結果、研削能力が向上する。

請求項（抜粋）：

面取り加工が施された半導体ウェーハをラップする工程と、この半導体ウェーハのラップされた表裏両面を、高番手の研削砥石を用いて順に平面研削する工程と、その後、この表裏両面を同時に研磨する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 331

FI (2件)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 331

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-343559 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開平4-008464
特開昭55-111136

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