特許
J-GLOBAL ID：200903040138153778
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109908
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274286
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 均一に薄膜化された活性基板を有するSOI基板の製造方法を提供することができる。【構成】 支持基板1の両面を両面研磨装置により同時に研磨する。支持基板1の上面に活性基板2を貼り合わせて貼合ウェハを得る。貼合ウェハの周縁部の未接着部分を取り除く。活性基板2の表面を平面研削して厚みを減ずる。活性基板2の表面をスピンエッチングによりエッチングする。活性基板2をPACE加工により薄膜化する。
請求項（抜粋）：
次の工程からなることを特微とするSOI基板の製造方法。(1)支持基板となる半導体ウェハの両面を、両面研磨装置により同時に研磨する両面研磨工程。(2)両面研磨された支持基板の上面に、活性基板となる半導体ウェハを貼り合わせて貼合ウェハを得る貼り合わせ工程。(3)貼合ウェハの周縁部の未接着部分を取り除く未接着部除去工程。(4)未接着部分を除去された貼合ウェハの活性基板の表面を、平面研削して厚みを減ずる平面研削工程。(5)平面研削された活性基板の表面を、スピンエッチングによりエッチングするスピンエッチング工程。(6)スピンエッチングされた活性基板を、PACE加工により薄膜化するPACE加工工程。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304 331
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/304 321 Z
, H01L 21/304 331
