特許
J-GLOBAL ID：200903013215752364

半導体装置の製造方法

発明者：
星野 和弘

星野 和弘 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151749
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340920
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 Cu配線や薄膜化したAl配線を用いた場合に、確実にワイヤーボンディングを行えるようにして、電気的信頼性の高い半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 基体2の上面に配線3とこれを覆う絶縁膜4と絶縁膜4に形成されて配線3を外側に臨ませる開口部5とを形成してなる半導体チップ1を用い、まず、この半導体チップ1の開口部5内に選択的にAlを含む導電材料からなる導電膜61を形成してパッド部6を得る。次いで、パッド部6を形成した半導体チップ1を搭載基板に搭載して、パッド部6と搭載基板の導電部とをAuワイヤー7を用いてボンディングする。
請求項（抜粋）：
基体の上面に配線とこれを覆う絶縁膜と該絶縁膜に形成されて前記配線を外側に臨ませる開口部とを有してなる半導体チップを用い、この半導体チップの前記開口部内に選択的にアルミニウムを含む導電材料からなる導電膜を形成してパッド部を得る工程と、前記パッド部を形成した半導体チップを搭載基板に搭載して、前記パッド部と前記搭載基板の導電部とをワイヤーボンディングする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-346231
  • プローブ構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041745   出願人：日東電工株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-009973   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社

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