特許
J-GLOBAL ID：200903013241483967

半導体装置の製法及び半導体装置

発明者：
大西 秀人

大西 秀人 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-086069
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266103
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】動作抵抗及びスイッチング損失が低く且つスイッチング特性に優れた半導体装置を形成する。【解決手段】半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。再結合領域(5)は、半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)でキャリアのライフタイムを制御するキャリア捕獲領域となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定の深さ領域に前記半導体基板の他の深さ領域より酸素濃度の高い酸素富裕層を形成する過程と、 前記半導体基板に放射線を照射して、前記酸素富裕層に再結合領域を形成する過程とを含むことを特徴とする半導体装置の製法。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L29/91 J ,  H01L21/28 A
Fターム (7件)：
4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-214674号公報
審査官引用 (3件)

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