特許
J-GLOBAL ID：200903063570646017

半導体装置

発明者：
高橋 英樹

高橋 英樹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033482
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249662
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 ソフトリカバリー化の推進に際して生じていた降伏電圧の低下という技術的課題を解決する。【解決手段】 この発明では、P型層3とN型層1とのPN接合において、先ず、N型層1のN-層1B、N+層1A内に白金等の重金属を拡散する。次に、P型層3とN-層1Bとの界面S2から所定の深さdの位置までのN-層内にヘリウムイオンを照射して接合付近のN-層にダメージを与え、キャリアのライフタイムτ2がN型層1のライフタイムτ1よりも小さく且つ抵抗率が単調減少を示す低ライフタイム領域2をN-層1B内に形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の主面と第1界面をなす第1主面と前記第1主面に対向する第2主面とを有し、且つ前記第1導電型の不純物を含むと共に、ダメージを受けて格子欠陥化状態にあるダメージ部分をも含む第2半導体層と、前記第2半導体層の前記第2主面と第2界面をなす主面を有する第2導電型の第3半導体層とを備え、前記第2半導体層に於ける第2ライフタイムは前記第1半導体層に於ける第1ライフタイムよりも小さく、前記第2半導体層に於ける抵抗値は前記第2界面から前記第1界面に向けて単調に減少していることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/322
FI (3件)：
H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/91 J
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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