半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138606
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352101
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】元来的に含まれている不純物の濃度が半導体装置毎に異なっているために、形成される複合欠陥にバラツキが生じ、ひいては半導体装置の特性にもバラツキが発生してしまう。【解決手段】複合欠陥46が形成されている中間半導体領域24を備えているPIN型ダイオード10を製造する方法であって、中間半導体領域24に元来含まれている不純物(例えば炭素)と同種の不純物を中間半導体領域24に導入する工程と、中間半導体領域24にヘリウムイオンを照射して点欠陥44を形成する工程を備えている製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複合欠陥が形成されている半導体領域を備えている半導体装置の製造方法であり、半導体領域に元来含まれている不純物と同種の不純物を半導体領域に導入する工程と、その半導体領域に点欠陥を形成する工程と、を備えている製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/329 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/91 A , H01L29/78 655B , H01L29/78 658A , H01L29/78 653A , H01L29/78 655Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

高速ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273170 出願人：東洋電機製造株式会社

審査官引用 (8件)

半導体素子のライフタイム制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236418 出願人：株式会社明電舎
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-082544 出願人：新電元工業株式会社
局所的に縮小した寿命領域を有する半導体装置およびその半導体装置の製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-553628 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

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