特許
J-GLOBAL ID:200903013263170881
静電容量式加速度センサ及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-042166
公開番号(公開出願番号):特開平8-236787
出願日: 1995年03月01日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】電極の間隔を精度良く保つことができる静電容量式加速度センサを提供することを目的とする。【構成】n+ シリコンよりなる単結晶シリコン基板2の上面にはn- 単結晶シリコンよりなるエピタキシャル成長層3が形成されている。そのエピタキシャル成長層3には、上面から前記シリコン基板2にかかる深さの略四角形状の凹部4が形成されている。その凹部4にはマス部5が変移可能に配置されている。マス部5はn+ シリコンよりなり、平面四角形状に形成されている。そのマス部5の側面と凹部4の内側面との間にはバネ状の支持部6が形成され、その支持部6により4方向からマス部5が弾性的に支承されている。また、マス部5は、凹部4の底面、即ちシリコン基板2から所定の間隔で保持され、シリコン基板2とマス部5とによりコンデンサが形成される。
請求項(抜粋):
固定電極と可動電極とにより構成されるコンデンサの容量の変化に基づいて、印加される加速度を検知する静電容量式加速度センサであって、固定電極となる単結晶シリコン基板(2)と、前記単結晶シリコン基板(2)上に形成されたエピタキシャル成長層(3)と、前記単結晶シリコン基板(2)上に前記エピタキシャル成長層(3)を貫通して形成された凹部(4)と、前記凹部(4)内に偏位可能に配置され、前記単結晶シリコン基板(2)の固定電極とによりコンデンサを構成する可動電極となるマス部(5)と前記マス部(5)側面と凹部(4)側面との間に形成され、該マス部(5)を少なくとも2方向から支持するバネ状の支持部(6)とを備えた静電容量式加速度センサ。
IPC (3件):
H01L 29/84
, G01L 9/12
, G01P 15/125
FI (3件):
H01L 29/84 B
, G01L 9/12
, G01P 15/125
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平4-127479
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変位検出センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-083483
出願人:オムロン株式会社
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Si基体及びその加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-276376
出願人:キヤノン株式会社
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