特許
J-GLOBAL ID：200903013269038683
半導体ウエハ研磨装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319289
公開番号（公開出願番号）：特開平8-150559
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 クリーンルーム内に設置可能で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半導体ウエハ研磨装置を提供する。【構成】 側壁を有した筐体1内にトップリング5によって半導体ウエハを保持しつつターンテーブル3に押しつけて半導体ウエハ4を研磨する研磨部2と、半導体ウエハ4を洗浄する洗浄部30とを収納し、研磨部2と洗浄部30との間を分離する隔壁22を設けるとともに隔壁22の開口22aを介して研磨後の半導体ウエハ4を研磨部2から洗浄部30へ搬送する搬送機構24を設け、研磨部2と洗浄部30から各々独立に排気する排気系統46,47を設けた。
請求項（抜粋）：
側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。
IPC (3件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304 351
