特許
J-GLOBAL ID：200903013269977272
有機EL素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086146
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296234
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機EL素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機EL層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機EL素子及びその製造を提供すること。【解決手段】基板上に下部電極、有機EL層、バッファ層、及び上部電極が順次形成された有機EL素子において、前記バッファ層がAu、Pt、Pd、及びAgから選択される少なくとも1種の金属をドーピングしたフタロシアニン化合物を含有させることにより、上記有機EL素子を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極、有機EL層、バッファ層、及び上部電極が順次形成された有機EL素子において、前記バッファ層はAu、Pt、Pd、及びAgから選択される少なくとも1種の金属がドーピングされたフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする有機EL素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B33/22 B
, H05B33/14 A
3K007AB03
, 3K007AB05
, 3K007AB06
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
