特許
J-GLOBAL ID：200903013294110267
オフアングル付き半導体ウエハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196333
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】オフアングル付き半導体ウエハの鏡面上にフォトレジストパターンを焼き付ける際、その事前に行うマスク合わせ作業を高精度に行なうことができ、またそのオフアングル付き半導体ウエハを用いて半導体デバイスを製造するきにはその製造プロセス中において苛酷な取り扱いを受けたとしてもウエハの欠け不良やエッジチップ不良等の欠陥部が発生しない新規なオフアングル付き半導体ウエハを提供すること。【解決手段】結晶面方位が(100)面より任意角度だけ傾けて成るオフアングル付き半導体ウエハにおいて、該オフアングル付き半導体ウエハはその結晶面方位を(100)面より任意角度傾けた方向と平行方向にフラットなオリエンテーションフラット部若しくはインデックスフラット部を設けて成るものであることを特徴とするオフアングル付き半導体ウエハにある。
請求項（抜粋）：
結晶面方位が(100)面より任意角度だけ傾けて成るオフアングル付き半導体ウエハにおいて、該オフアングル付き半導体ウエハはその結晶面方位を(100)面より任意角度傾けた方向と平行方向にフラットなオリエンテーションフラット部若しくはインデックスフラット部を設けて成るものであることを特徴とするオフアングル付き半導体ウエハ。
IPC (3件)：
H01L 21/304 611
, H01L 21/304 622
, H01L 21/02
H01L 21/304 611 B
, H01L 21/304 622 Y
, H01L 21/02 B
