特許

J-GLOBAL ID：200903013327068180

磁気抵抗素子

発明者： 細谷 啓司 ,  浅尾 吉昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-260240
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094104
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】2つの磁性層間に挟まれたトンネルバリア層の劣化を低減する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、第1の電極層12と、第1の電極層12上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層14と、固定層14上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層15と、トンネルバリア層15上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層16と、自由層16上に設けられた第2の電極層17とを含む。そして、第1の電極層12及び第2の電極層17のうち少なくとも一方は、導電性金属酸化物を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極層と、 前記第1の電極層上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層と、 前記固定層上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層と、 前記自由層上に設けられた第2の電極層と を具備し、 前記第1の電極層及び前記第2の電極層のうち少なくとも一方は、導電性金属酸化物を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/32

FI (7件)：

H01L43/08 D ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/06 ,  H01F10/32

Fターム (58件)：

4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA06 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46 ,  5F092CA09 ,  5F092CA20 ,  5F092CA26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-240838   出願人：キヤノンアネルバ株式会社
• 磁気抵抗素子の製造方法および磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-181595   出願人：キヤノン株式会社