特許
J-GLOBAL ID：200903035646880410

磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者：
前原 大樹

前原 大樹 について

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長田 智明

長田 智明 について

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土居 美保子

土居 美保子 について

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恒川 孝二

恒川 孝二 について

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渡辺 直樹

渡辺 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-240838
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060044
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、MR比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【解決手段】 この磁気抵抗効果素子20の製造方法は、少なくとも2層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層するように設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/306
FI (7件)：
H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/302 104Z
Fターム (17件)：
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034DA07 ,  5E049BA25 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01 ,  5F004AA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB29 ,  5F004EA05 ,  5F004EB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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