特許
J-GLOBAL ID：200903013348366971
加工用マスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318165
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153125
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】トリレベルレジストを用いるも、当該トリレベルレジストの構成要素である最下層の第1の樹脂膜にパターン不良を発生せしめることなく、更なる微細パターン形成にも十分に対応できる加工用マスクを実現する。【解決手段】プラズマCVD法による無機物膜の成膜温度よりも耐熱温度が高い有機樹脂であるポリアリール系樹脂膜11、プラズマCVD法により形成され、膜密度が高く、欠陥の少ない無機質膜であるシリコン酸化膜12、及びフォトレジスト膜13からなるトリレベルレジストを用いて微細加工を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工物上に第1の樹脂膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にCVD法により無機物膜を形成する工程と、
前記無機物膜上に第2の樹脂膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする加工用マスクの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 573
, H01L21/88 B
5F033HH08
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033KK01
, 5F033KK04
, 5F033QQ08
, 5F033QQ28
, 5F033QQ29
, 5F046NA06
, 5F046NA07
, 5F046NA12
