特許
J-GLOBAL ID：200903013359109261

MIS型電界効果トランジスタの製造方法及び半導体記憶装置の製造方法

発明者：
山口 豪

山口 豪 について

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三谷 祐一郎

三谷 祐一郎 について

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佐竹 秀喜

佐竹 秀喜 について

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福島 伸

福島 伸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270742
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053392
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】欠陥が誘起され難く、水素や水分に対する耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁膜として用いたMIS型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】MIS型電界効果トランジスタの製造方法は、シリコン基板上に金属酸化物膜を形成する工程と、金属酸化物膜上にゲート電極を形成する工程と、前記金属酸化物膜にフッ素を導入する工程とを有し、金属酸化物膜としてHfの酸化物、Alの酸化物を用いる。例えば、金属酸化物膜へのフッ素の導入は、シリコン基板上へ金属酸化物膜を形成する前にシリコン基板にフッ素またはフッ素を含むイオンを導入し、金属酸化物膜を形成した後にシリコン基板を熱処理してシリコン基板から金属酸化物膜へフッ素を拡散させることにより行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に金属酸化物膜を形成する工程と、 前記金属酸化物膜上にゲート電極を形成する工程と、 前記金属酸化物膜にフッ素を導入する工程とを有し、 前記金属酸化物膜はHfの酸化物であることを特徴とするMIS型電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (93件)：
5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF34 ,  5F058BH03 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP44 ,  5F083EP45 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F101BA01 ,  5F101BA26 ,  5F101BA28 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BB16 ,  5F140BC02 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG37 ,  5F140BG43 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK39 ,  5F140CA01 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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