特許

J-GLOBAL ID：200903013376709396

半導体素子、半導体装置、及び半導体素子の製造方法

発明者： 竪谷 淳
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170963
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 低損失化と低コスト化とを高水準に達成することができる半導体素子を提供する【解決手段】 半導体基体11の中層領域に形成されたn型半導体領域(ドリフト領域)17と、半導体基体11の他方の主面11B側に形成された凹部16の底面に露出し、且つn型半導体領域17に接合すると共に、このn型半導体領域17よりも高い不純物密度を有するn型半導体領域19と、半導体基体11の一方の主面11A側に露出し、且つn型半導体領域17に接合するp型半導体領域18と、p型半導体領域18の露出部分に形成された第1主電極層12と、n型半導体領域19の露出部分に形成された第2主電極層13とから構成されている。このため、素子の主動作領域の厚さを薄くできるため、低損失化を達成出来る。

請求項（抜粋）：

半導体基体と、該半導体基体の一方の主面側に形成された該半導体基体よりも高不純物密度の第1主電極領域と、前記半導体基体の他方の主面側において、前記半導体基体からなる筒状の脚部を周辺部に残置するようにして、前記半導体基体の他方の主面側から前記一方の主面側に向かって形成された凹部と、該凹部の底部に露出した前記半導体基体の前記他方の主面側に、前記第1主電極領域に対向して形成された前記半導体基体よりも高不純物密度の第2主電極領域とからなることを特徴とする半導体素子。

IPC (11件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/866 ,  H01L 21/329

FI (9件)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/91 C ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/90 D ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 F

Fターム (19件)：

5F003AP09 ,  5F003BA06 ,  5F003BA92 ,  5F003BC01 ,  5F003BC90 ,  5F003BH18 ,  5F003BM02 ,  5F003BZ01 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02 ,  5F005BB01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GB04 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL03 ,  5F102GQ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208065   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-183166
  
• 高耐圧電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050745   出願人：株式会社東芝