特許

J-GLOBAL ID：200903013378283809

水晶片の製造方法及び製造装置

発明者： 中楯 真
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119786
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313091
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理における水晶の厚さの加工精度を向上させることを目的とする。また、より効率的に処理できる水晶片の製造方法及び製造装置を実現する。【解決手段】 製造装置100では、まず、厚さ測定部111において水晶ウエハの厚さが厚さ測定手段103によって測定され、この厚さの測定値Teは演算部102に送られる。演算部102では、測定値Teと、水晶ウエハの厚さの目標値Ttと、エッチングレートErとから、必要なエッチング時間Etを算出する。ここで、エッチングレートErは粗エッチング槽113A,113B,113Cに収容されているエッチング液の使用度合に応じて変化するので、予め使用度合fとエッチングレートErとの関係を測定しておき、この関数Er=Er[f]或いはこれに対応する参照テーブルを求めておく。そして、この関数或いは参照テーブルを用いて上記演算を行う。

請求項（抜粋）：

エッチング液により水晶ウエハを所望の厚さにエッチングするエッチング工程を含む水晶片の製造方法であって、前記水晶ウエハの厚さを測定する工程と、前記水晶ウエハの厚さの測定値、前記水晶ウエハの厚さの目標値、及び、前記エッチング液の使用度合に応じて求めたエッチングレートの想定値とからエッチング時間を求める工程とを有し、前記エッチング工程では、前記エッチング時間に応じた時間で前記水晶ウエハのエッチングを行うことを特徴とする水晶片の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/18 ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/306 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02

FI (7件)：

C30B 29/18 ,  C30B 33/08 ,  H03H 3/02 A ,  H03H 3/02 B ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 21/306 D

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077FG05 ,  4G077FG17 ,  4G077HA04 ,  5F043AA40 ,  5F043BB22 ,  5F043EE02 ,  5F043EE40 ,  5J108MM08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 水晶の表面加工方法及び水晶片の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-219811   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-022676   出願人：三菱電機株式会社