特許
J-GLOBAL ID：200903013420989830

半導体装置の製造方法及び電気光学装置、電子機器

発明者：
井上 聡

井上 聡 について

, 
広島 安

広島 安 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101836
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297748
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 生産性を向上させることが可能となる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 ガラス基板10に積層された酸化シリコン膜12上に、レジスト膜13を形成する。スタンパ200を用いて、突起部202がレジスト膜13に食い込むようにしてスタンパ200を当接させることにより、レジスト膜13に複数の微小な開口部53を形成する。レジスト膜13をエッチングマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、開口部53を通して下側の酸化シリコン膜12までエッチングを進行させる。その後、不要なレジスト膜13を除去することにより、半導体膜の再結晶化の際の起点となるべき複数の穴52が形成されたガラス基板10が得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板に半導体膜を形成し、この半導体膜に薄膜素子を形成する半導体装置の製造方法であって、前記絶縁基板にエッチングの保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜に複数の突起が配列されたスタンパを当接して、前記保護膜に前記突起の形状を転写する穴開け工程と、前記保護膜をマスクとして前記絶縁基板をエッチングし、該絶縁基板に複数の穴を形成するエッチング工程と、前記絶縁基板に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、前記絶縁基板の複数の穴の中の半導体膜に非溶融部分が残り、他の部分が溶融するように熱処理を行う再結晶化工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 E ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C
Fターム (52件)：
2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052BA20 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052FA13 ,  5F052FA16 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP31 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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