特許
J-GLOBAL ID：200903068882210927
半導体表面の微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033800
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232095
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】凸型のパターンを形成したモールドを半導体表面上のレジスト膜に押し付けることにより半導体表面を微細加工する方法において、該凸型の形状を忠実に反映した凹型よりなるパターンを半導体表面に転写する方法を提供すること。【解決手段】凸型のパターンを有するSiC製モールドを準備し、半導体ウエハ上に形成されたレジスト膜に該モールドを押し付けて、圧痕のパターンをレジスト膜に転写し、イオンミリングによってレジストと半導体とをエッチングした後、半導体上に残存するレジストを除去する方法を構成することによって課題を解決する。
請求項（抜粋）：
凹凸型のパターンを形成したモールドを、半導体表面に形成したレジスト膜に押し付けることにより該レジスト膜表面に該パターンの凹凸反転パターンを転写する第1の工程と、該第1の工程後の該レジスト膜とその下の半導体表面を材料選択性の低いドライエッチング法で加工する第2の工程とからなることを特徴とする半導体表面の微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/306
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 P
5F004AA00
, 5F004BA17
, 5F004BB18
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB20
, 5F004DB22
, 5F004DB26
, 5F004DB27
, 5F004EA10
, 5F004EA28
, 5F004EA40
, 5F004EB08
, 5F004FA08
