半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284483
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055460
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】軽量で、基板として適度な熱膨張率と高い熱伝導率とを兼ね備えたAl-Si合金からなり、しかも表面にアルマイト層等の絶縁層やメッキ層を形成することができる半導体基板材料、及びその製造方法、並びに該基板材料を用いた高性能・高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】熱伝導率が0.28cal/cm・sec・°C以上、熱膨張係数が12×10-6/°C以下、密度が2.5g/cm3以下であって、Siを50〜80重量%含有するAl-Si合金からなる半導体基板材料。この基板材料は、噴霧法による急冷凝固Al-Si合金粉末を用い、鍛造や焼結等の方法により固化して製造する。

請求項（抜粋）：

熱伝導率が0.28cal/cm・sec・°C以上、熱膨張率が12×10-6/°C以下、密度が2.5g/cm3以下であって、Siを50〜80重量%含有するAl-Si合金からなる半導体基板材料。

IPC (10件)：

H01L 23/373 , B22F 9/08 , C01B 33/02 , C22C 21/02 , C22C 28/00 , C22F 1/043 , C23C 30/00 , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 305 , H01L 23/14

FI (10件)：

H01L 23/36 M , B22F 9/08 A , C01B 33/02 Z , C22C 21/02 , C22C 28/00 B , C22F 1/043 , C23C 30/00 A , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 305 , H01L 23/14 M

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-205055
エレクトロニックパッケージング用ケイ素合金
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-506439 出願人：オスプリメタルズリミテッド
靭性のすぐれたAl-Si系合金製熱間鍛造部材の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190950 出願人：三菱マテリアル株式会社

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審査官引用 (4件)

特開平1-205055
特開昭63-261733
特開平4-274383

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