半導体受光素子とその製造方法、およびそれを用いた光センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017203
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214737
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 ?@必要な波長領域の光情報を同時に、かつ任意に取り出し可能な、?A紫外・可視全域で、高変換効率で光電変換が可能な、或いは、?B広範囲の光学ギャップが自由に選べ、優れた半導体特性を有し、新しいオプトエレクトロニクス材料となり得る半導体受光素子と、該半導体受光素子を安全に、かつ、低コストで製造できる半導体受光素子の製造方法、及び該半導体受光素子を用いた光センサを提供すること。【解決手段】少なくとも導電性基板20上に、Al,GaおよびInの内の少なくとも1以上の元素と、チッ素と、0.5〜50at%の水素とを含む非単結晶光半導体層21が形成され、さらにその上に透明導電性電極22が配されてなることを特徴とする半導体受光素子と、その製造方法、及び該半導体受光素子を用いた光センサである。

請求項（抜粋）：

少なくとも導電性基板上に、Al,GaおよびInの内の少なくとも1以上の元素と、チッ素と、0.5〜50at%の水素とを含む非単結晶光半導体層が形成され、さらにその上に透明導電性電極が配されてなることを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-192772
特開平2-192770
特開平2-194563

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