特許

J-GLOBAL ID：200903013495791980

窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法

発明者： 蝶々 一幸 ,  森田 大介
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239835
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055097
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】 発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体に係わり、特に窒化物半導体よりなる基板の結晶欠陥を低減させ、結晶性に優れた窒化物半導体基板に関する。【解決手段】 支持基板上に、部分的にストライプ状又は格子状の保護膜を形成し、前記支持基板露出部より保護膜上に第1の窒化物半導体を横方向成長させて前記保護膜を覆わない状態で止め、保護膜を除去することにより横方向成長した第1の窒化物半導体の下部に空間を形成し、その後、第1の窒化物半導体の上面、又は上面及び横方向成長部分である側面より第2の窒化物半導体を成長させ、さらにその上に第3の窒化物半導体を成長し、その後、支持基板を除去する。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板表面の周期的なストライプ状、格子状、又は島状の部分を成長起点として横方向成長し、互いに接合する前に横方向成長を停止することにより周期配列されたT字状断面を有する第1の窒化物半導体と、前記第1の窒化物半導体の上面、又は上面及び横方向成長した側面を核として成長し、支持基板全面を覆う第2の窒化物半導体と、前記第2の窒化物半導体上に膜厚が300μm以上の第3の窒化物半導体とを備え、前記第2の窒化物半導体が互いに接合する部分の下に形成されている空間より支持基板を分離除去していることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (44件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DQ08 ,  5F045GH09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表昭57-500670
  
• GaN系結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-188776   出願人：三菱電線工業株式会社
• GaN系結晶基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-236845   出願人：三菱電線工業株式会社