特許
J-GLOBAL ID：200903057481849141

GaN系結晶基材およびその製造方法

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

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只友 一行

只友 一行 について

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大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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湖東 雅弘

湖東 雅弘 について

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平松 和政

平松 和政 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236845
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068559
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 低転位でクラックの少ない状態として形成された、AlGaN系結晶層を有するGaN系結晶基材を提供し、その製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板Bの表面に、マスク領域と非マスク領域4とを形成するようにマスク層3を設ける。マスク層はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなる。非マスク領域4を結晶成長の出発点としてマスク層3上を覆うまで第一のGaN系結晶層1を成長させ、その上に第二のGaN系結晶層2を成長させてGaN系結晶基材とする。このとき、層1は、Al組成を実質的に0とする。また、層2には、層1との境界から層の厚さが増すにつれてAl組成が増加する層状部分が含まれる構成とする。層2のAl組成が増加する部分における、Al組成の初期値は0.01以下、実質的に0とするのが好ましい。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶が成長可能なベース基板面に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、非マスク領域を結晶成長の出発点としてマスク層上を覆うまで成長した第一のGaN系結晶層と、その上に成長した第二のGaN系結晶層とを有し、第一のGaN系結晶層は、Al組成が実質的に0であり、第二のGaN系結晶層には、第一のGaN系結晶層との境界から層の厚さが増すにつれてAl組成が増加する層状部分が含まれていることを特徴とするGaN系結晶基材。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C30B 23/04 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  C30B 23/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205
Fターム (41件)：
4G051BB05 ,  4G051BC13 ,  4G051HA09 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077BE47 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077UA09 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB05 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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