特許
J-GLOBAL ID：200903013535171327

集積回路装置およびその製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086679
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 実効誘電率が良好に低減されており、上部配線や接続配線の電気特性も良好なデュアルダマシン回路を実現する。【解決手段】 上部配線223と接続配線222とが位置する部分を、CH系の有機ポリマ層203と、ポーラスMSQ等の低誘電率層204と、の二層で形成する。有機ポリマ層203と低誘電率層204とはエッチング選択性が高いので、上部凹溝213とヴィアホール212とを良好な形状に形成し、上部配線223と接続配線222との電気的な特性を良好とすることができる。しかも、有機ポリマ層203と低誘電率層204とは低密度で低誘電率なので、回路全体の実効誘電率も低減することができる。
請求項（抜粋）：
下部層間膜と、この下部層間膜の上面から所定の深度まで形成されている下部凹溝に埋設されている下部配線と、この下部配線が埋設された前記下部層間膜の上面に積層されているバリア絶縁膜と、このバリア絶縁膜の上面に積層されているCH系の有機ポリマ層と、この有機ポリマ層の上面に積層されておりMSQ(Methyl Silsesquioxane)とHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)とMHSQ(Methyl Hydrogen Silsesquioxane)と炭素含有シリコン酸化膜との一つからなる低誘電率層と、この低誘電率層の上面から前記有機ポリマ層の上面まで形成されている上部凹溝に埋設されている上部配線と、前記上部凹溝の底面から前記下部配線の上面まで前記有機ポリマ層と前記バリア絶縁膜とを貫通したヴィアホールに埋設されている接続配線と、を少なくとも具備している集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/312
FI (5件)：
H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 S
Fターム (42件)：
5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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