特許
J-GLOBAL ID：200903020429513274

配線構造体及びその形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044814
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243147
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜が、良好な加工性、低い比誘電率並びに有機膜、酸化膜及び金属膜に対する高い密着性を有するようにする。【解決手段】 半導体基板100上の第1の金属配線101の上に、第1のシリコン窒化膜102、第1の有機含有シリコン酸化膜103、第2のシリコン窒化膜104、第2の有機含有シリコン酸化膜105を順次堆積する。第1及び第2の有機含有シリコン酸化膜103、105は、フェニルトリメトキシランを主原料とする反応性ガスを用いるCVD法によって形成することにより、シリコン酸化物中にシリコン原子と結合したフェニル基が取り込まれた構造を有している。第2の有機含有シリコン酸化膜105に第2の金属配線111を形成すると共に、第1の有機含有シリコン酸化膜103にコンタクト112を形成する。
請求項（抜粋）：
下層の金属配線と上層の金属配線との間に設けられており、シリコン酸化物中にシリコン原子と結合したフェニル基が取り込まれた構造を有する有機含有シリコン酸化物からなる層間絶縁膜を備えていることを特徴とする配線構造体。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/90 K ,  H01L 21/316 X
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM