特許
J-GLOBAL ID：200903074769290396
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239760
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068376
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上の微細加工が難しい層間絶縁膜に、該層間絶縁膜の劣化及び工程数の増加を招くことなく、微細なパターンを有する埋め込み配線を形成すると共に、層間絶縁膜とバリアメタル膜又は配線用メタル膜との密着性を向上する。【解決手段】 シリコン基板300上の窒化珪素膜からなる第1の絶縁膜301上のフッ素添加ポリイミドからなる第3の絶縁膜304に形成されており、第1の絶縁膜301を底面とする配線溝306に、窒化チタンからなるバリアメタル膜307及び銅からなる配線用メタル膜308を埋め込むことによって、埋め込み配線309が形成されていると共に、配線溝306の壁面と埋め込み配線309との間に設けられ、第3の絶縁膜304及びバリアメタル膜307との密着性に優れた酸化珪素膜からなる側壁302Bが形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に堆積された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された配線溝と、前記配線溝に埋め込まれた埋め込み配線と、前記配線溝の壁面と前記埋め込み配線との間に設けられ、前記絶縁膜及び前記埋め込み配線との密着性に優れた絶縁性材料からなる側壁とを備えていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 C
, H01L 21/90 P
5F033AA09
, 5F033AA13
, 5F033AA17
, 5F033AA23
, 5F033AA28
, 5F033AA29
, 5F033AA52
, 5F033AA54
, 5F033AA62
, 5F033AA64
, 5F033BA12
, 5F033BA15
, 5F033BA16
, 5F033BA17
, 5F033BA25
, 5F033BA37
, 5F033EA02
, 5F033EA03
, 5F033EA06
, 5F033EA19
, 5F033EA22
, 5F033EA25
, 5F033EA26
, 5F033EA28
, 5F033EA29
, 5F033FA03
