面発光レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073742
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270790
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】電気抵抗を低減した面発光レーザを提供する。【解決手段】上部半導体多層膜を迂回して電流注入が可能なように、上部半導体多層膜の一部をエッチングして電極を形成する面発光レーザにおいて、電極形成層上にトレンチを形成して、実質的に電極面積を大きくとることで、コンタクト抵抗を低減する。

請求項（抜粋）：

上部半導体多層反射膜と、活性層を含む中間層と、下部半導体多層反射膜と、電流狭窄のための高抵抗領域と、上部半導体多層膜を該多層膜の最下層を残してエッチングしてメサを形成し、そのメサ全面およびメサの底部周辺を覆い、かつ、上部半導体多層膜を迂回して電流注入が可能なように設けられた電極とを有する面発光レーザにおいて、上記メサの底部周辺において該電極が接触する上部半導体多層膜の最下層であるコンタクト層に少なくとも1ケのトレンチが形成されていることを特徴とする面発光レーザ。

引用特許：

審査官引用 (6件)

面発光レーザ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-335832 出願人：日本電気株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-101166 出願人：ソニー株式会社
特開平3-120717

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