半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307526
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。

請求項（抜粋）：