特許
J-GLOBAL ID：200903087358537824
半導体発光素子
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307526
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。
請求項（抜粋）：
p側電極が、該電極のコンタクト層の上面および側面に渡って被着されたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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