特許
J-GLOBAL ID：200903013649533873
ITO焼結体およびその製造方法ならびに前記ITO焼結体を用いたITO膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058475
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237632
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：
【要約】【課題】 安定した透明性と導電性を有し、しかもピンホール等の欠陥のないITO膜を得る。【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とするITO焼結体の原材料に、SiO2 とMgO、あるいはSiO2 とMgOとAl2 O3 をそれぞれ所定の割合で添加し、0.2〜20MPaの比較的低いプレス圧力でペレット状等に圧縮成形して、加熱、焼結させる。このようなITO焼結体を蒸発源あるいはターゲットとして、真空蒸着やスパッタリングによってITO膜を成膜すると、錫の含有量がITO焼結体と同じであってしかもピンホール等のないITO膜を成膜できる。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムと酸化錫を主成分とするITO膜成膜用のITO焼結体の原材料に、前記ITO膜の錫の含有量を調節するための添加物としてSiO2 とMgOをそれぞれ所定の割合で添加したことを特徴とするITO焼結体。
IPC (5件)：
C23C 14/24
, C04B 35/457
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, G02F 1/1343
C23C 14/24 E
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 Z
, G02F 1/1343
, C04B 35/00 R
