特許

J-GLOBAL ID：200903013664820048

パワー半導体モジュール

発明者： 池田 良成 ,  藤井 岳志 ,  吉原 克彦 ,  飯塚 祐二 ,  山下 満男
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347356
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116702
出願日： 2003年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 半導体素子の表面温度の低減、及びその面内温度分布の均一化を実現できるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 本発明にかかるパワー半導体モジュールでは、高熱伝導体20により半導体素子13で発生した熱を一時的に保留し、半導体素子13の表面温度の上昇を抑制することができる。特に、高熱伝導体20の熱伝導率が半導体素子13の熱伝導率よりも大きいため、その発生熱を速やかに伝導させて温度抑制効果を発揮させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面に形成された回路パターンの所定位置に半導体素子をロー付接合して構成されるパワー半導体モジュールにおいて、 前記半導体素子の前記絶縁基板とは反対側に形成された表面電極に、前記半導体素子の熱伝導率以上の熱伝導率を有する高熱伝導体をロー付接合したことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240083   出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (4件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331655   出願人：三菱電機株式会社
• パワー半導体モジュール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-253902   出願人：富士電機株式会社
• 半導体素子実装回路および半導体素子実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-033048   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110313   出願人：三菱電機株式会社