基板上の配線および配線形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：楠本高義 , 増田建
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020683
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217088
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】本発明は、配線遅延の低減を実現するための配線およびその配線の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】配線10は絶縁基板12の上に形成されたものである。配線10は、絶縁基板12の上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜14と、第1金属化合物膜14の上面に形成された銅層16と、を含む。さらに、銅層16の上面には窒素を含有する第2金属化合物膜18が形成されている。第1金属化合物膜14および第2金属化合物膜18が窒素を含有しているため、銅層16との境界面で合金層ができにくく、エッチングが制御しやすくなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された配線であって、前記絶縁基板上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜と、前記第1金属化合物膜の上面に形成された銅または銅合金層と、前記銅または銅合金層の上面に形成された窒素を含有する第2金属化合物膜と、を含む配線。

IPC (4件)：

H01L21/3205 , C23C14/06 , G02F1/1343 , H01L21/306

FI (4件)：

H01L21/88 R , C23C14/06 N , G02F1/1343 , H01L21/306 F

Fターム (44件)：

2H092GA31 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KB01 , 2H092MA05 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA08 , 4K029BA11 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA06 , 5F033GG04 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH20 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ34 , 5F033RR03 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033WW06 , 5F033XX27 , 5F043AA27 , 5F043BB18 , 5F043DD22 , 5F043EE23 , 5F043FF03 , 5F043GG02

引用特許：

出願人引用 (1件)

エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-001127 出願人：株式会社フロンテック

審査官引用 (4件)

液晶ディスプレイ画素アレイのための、銅金属配線を用いた多結晶シリコンTFTを形成する方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-121367 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-007050 出願人：富士通株式会社
特開平2-260422

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