エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001127
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059191
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のCu膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でCu膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Cu膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。【解決手段】ペルオキソ一硫酸一水素カリウムとフッ酸を含有する水溶液からなるエッチング剤。基体2上にTi膜又はTi合金3とCu膜4とを順次成膜した積層膜の表面に所定パターンのマスク27、28を形成し、上記の構成のエッチング剤を用いて上記積層膜をエッチングして上記所定パターンのゲート電極5(積層配線)、下部パッド層(積層配線)16bを形成する薄膜トランジスタ基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

ペルオキソ一硫酸一水素カリウムを含有する水溶液からなることを特徴とする銅のエッチング剤。

IPC (7件)：

C23F 1/18 , C09K 13/00 , C09K 13/06 101 , H01L 21/308 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

C23F 1/18 , C09K 13/00 , C09K 13/06 101 , H01L 21/308 F , H01L 21/88 M , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 627 C

Fターム (64件)：

4K057WA11 , 4K057WA12 , 4K057WB04 , 4K057WB08 , 4K057WB15 , 4K057WB20 , 4K057WE03 , 4K057WE07 , 4K057WE08 , 4K057WE12 , 4K057WG01 , 4K057WG03 , 4K057WJ03 , 4K057WM03 , 4K057WN01 , 4K057WN02 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ20 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX34 , 5F043AA26 , 5F043AA27 , 5F043BB18 , 5F043DD16 , 5F043DD30 , 5F043GG02 , 5F043GG04 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110HK25 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110NN01 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (6件)

エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316613 出願人：株式会社荏原電産
化合物半導体のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-083388 出願人：新日本無線株式会社
特開平3-053084

全件表示

審査官引用 (12件)

エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316613 出願人：株式会社荏原電産
化合物半導体のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-083388 出願人：新日本無線株式会社
特開平3-053084

全件表示

前のページに戻る