特許
J-GLOBAL ID：200903009587010227
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046401
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313397
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極167をソース配線137と一部重なるように配置し、TFTはTFTのチャネル形成領域と重なるゲート配線166によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に挟まれるチャネル形成領域とを有する半導体層と、前記半導体層上に第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なる電極と、前記第1絶縁膜上にソース配線と、前記電極及び前記ソース配線を覆う第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に前記電極と接続されたゲート配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, H04N 5/66 102
H04N 5/66 102 A
, H01L 29/78 612 C
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
