特許

J-GLOBAL ID：200903060096952781

III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法

発明者： バウド,ロバート,ピー. ,  フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  レッドウィング,ジョアン,エム. ,  ティシュラー,マイケル,エー.
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567830
公開番号（公開出願番号）：特表2003-527296
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月16日
要約：

【要約】III-V族窒化物ボウル(インゴット)の天然窒化物シード上で高速度気相成長によって形成されるボウルは、ウエハーが、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために形成される。前記ボウルは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、1cmより大きい断面寸法、1mmを超える長さ、および1cm2あたり107未満欠陥の上面欠陥密度を有する。前記III-V族窒化物ボウルは、相応する天然III-V族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、1時間に20μmを上回る成長速度で、III-V族窒化物材料を成長させて形成される。

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニクス・デバイス品質の(Al,Ga,In)Nボウル。

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EE03 ,  4G077EE04 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TG02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社
• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238553   出願人：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171276   出願人：住友電気工業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-252175
  
• 特開平3-252175
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Final polishing of Ga-polar GaN substrates using reactive ion etching