特許
J-GLOBAL ID：200903074242944088

窒化物半導体結晶とその製造方法

発明者：
清見 和正

清見 和正 について

, 
藤戸 健史

藤戸 健史 について

, 
藤村 勇夫

藤村 勇夫 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-142914
公開番号（公開出願番号）：特開2007-314357
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】特定の結晶面を備えていて高品質で表面が均一な窒化物半導体結晶を製造すること。【解決手段】表面に少なくともC面を備え、かつ、該C面と直接隣接する面がM面でもA面でもないことを特徴とする六方晶系の種結晶を用いて結晶成長することにより窒化物半導体結晶を製造する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
六方晶系の種結晶を用いて結晶成長により窒化物半導体結晶を製造する工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記種結晶の表面が少なくともC面を備え、かつ、該C面と直接隣接する面がM面でもA面でもないことを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/20 ,  C30B23/08 M ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG04 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077FJ01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045GH01 ,  5F045GH08 ,  5F152LL02 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN02 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN09 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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