特許
J-GLOBAL ID：200903013707575719
クラックフリーIII族窒化物半導体材料の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-036894
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225756
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 厚いIII族窒化物層およびウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、少なくとも10μmの厚さを有し、低欠陥、透明無色、クラックフリー、および実質的に平坦な単結晶III族窒化物エピタキシャル層を成長させる方法であり、該層は、Si、SiC、サファイア、GaN、AlN、GaAs、AlGaNおよびその他、を含む基板(125)の広い領域において成長する。クラックフリーIII族窒化物層を、変形HVPE技術を使用して成長させる。必要に応じて、III族窒化物層の形状および応力は制御可能であり、凹層、凸層および平坦層を制御して成長させ得る。III族窒化物層の成長の終了後、基板は除去され得、独立のIII族窒化物層はIII族窒化物材料ブールの成長のためのシードとして使用され得る。ブールは、様々な半導体構造(例えばHEMT、LED)の製造において使用される個別のウェーハにスライスされ得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
クラックフリーAlN層を製造する方法であって、
少なくとも1つの基板をマルチ温度ゾーン反応炉の成長ゾーン内に配置する工程と、
第1のAlソースを第1のソースチャネル内に配置する工程と、
不活性ガスを用いて該反応炉をフラッシュする工程と、
該少なくとも1つの基板を900°Cから920°Cまでの温度範囲内の第1の温度に加熱する工程と、
該第1のAlソースを750°Cから850°Cまでの温度範囲内の第2の温度に加熱する工程と、
ハロゲン化ガス流を該第1のソースチャネル内に、0.1リットル/分から10リットル/分までの範囲内の第1のフローレートにおいて導入する工程であって、該ハロゲン化ガスおよび該第1のAlソースが反応することにより、少なくとも塩化アルミニウムガスを形成する工程と、
アンモニアガス流を該成長ゾーンに、0.1リットル/分から10リットル/分までの範囲内の第2のフローレートにおいて導入する工程と、
該塩化アルミニウムガスを該成長ゾーンに輸送ガスを用いて供給する工程であって、該輸送ガスは、0.1リットル/分から40リットル/分までの範囲内の第3のフローレートを有し、該塩化アルミニウムガスおよび該アンモニアガスが反応することにより、該AlN層を形成する工程と、
該AlN層が少なくとも10μmの厚さとなるまで該プロセスを継続する工程と、
該ハロゲン化ガス流を終了する工程と、
該アンモニアガス流を終了する工程と、
該AlN層を冷却する工程と
を包含する、方法。
IPC (5件)：
C30B29/38
, H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
, H01L33/00
C30B29/38 C
, H01L33/00 C
, H01L29/80 H
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE13
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077DB11
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077FJ03
, 4G077TB02
, 4G077TB03
, 4G077TB04
, 4G077TC01
, 4G077TC06
, 4G077TC07
, 4G077TC09
, 4G077TC17
, 4G077TH06
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK11
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC01
