特許
J-GLOBAL ID:200903013724521177

基板処理装置、フォーカスリングの加熱方法及び基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-348379
公開番号(公開出願番号):特開2008-159931
出願日: 2006年12月25日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】高周波電力の印加中に異常放電や高周波電力の逆流を発生させることなく、フォーカスリングの温度を正確に制御することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置10は、ウエハWの周縁部を囲うように配されている環状のフォーカスリング24と、フォーカスリング温度制御装置26とを備え、フォーカスリング温度制御装置26は環状の誘導コイル36を有し、該誘導コイル36はフォーカスリング24と対向し、誘導コイル36は電力供給棒38から電力を供給されると磁力線を発生し、発生した磁力線は誘導発熱部40と交差し、誘導発熱部40内には磁場誘導によって渦電流が発生し、該渦電流及び誘導発熱部40が有する電気抵抗に起因するジュール熱によって誘導発熱部40は発熱し、これにより、フォーカスリング24は自己発熱する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記載置された基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングとを備え、前記収容室内は減圧され、前記載置台には高周波電力が印加される基板処理装置において、 前記フォーカスリングは自己発熱することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (1件):
H01L21/302 101G
Fターム (8件):
5F004BA09 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004CA04
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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