特許
J-GLOBAL ID：200903077107280071
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172366
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353812
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 処理容器内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、載置台上に載置された基板に対してプラズマにより処理を行う際に、プラズマの状態の最適化を図り、これにより基板に対し面内均一性の高いプラズマ処理をすること【解決手段】 載置台上の基板の温度よりもこの基板の周囲を囲むように設けられたリング部の温度が50°C以上高くなるように温度調整機構により温度差を形成した状態にてプラズマ処理を行う構成とする。これにより基板の周縁部近傍にあるプラズマの活性種の密度が小さくなろうとするので、例えば処理容器内の排気流の影響によって基板の周縁部近傍の活性種の密度が大きくなろうとしても、周縁部近傍と内側領域との間の活性種の密度差を小さく抑えられる。その結果、基板に対し面内均一性の高いプラズマ処理をすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理容器内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、載置台上に載置された基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記載置台上の基板の周囲を囲むように設けられたリング部と、
前記基板よりもリング部の温度が50°C以上高くなるように温度差を形成するための温度調整機構と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101B
, H05H1/46 A
5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA04
, 5F004CA08
, 5F004CB12
, 5F004DA04
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F004DB10
, 5F004DB17
出願人引用 (1件)
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-100934
出願人：株式会社神戸製鋼所
審査官引用 (3件)
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