特許

J-GLOBAL ID：200903013744744610

マスクブランク及びフォトマスク

発明者： 三井 勝 ,  佐野 道明 ,  牛田 正男
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-037461
公開番号（公開出願番号）：特開2007-219038
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】FPD用大型マスクにおけるプロセス(レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等)に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するFPDデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さRqが2.0nm以下であることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するFPDデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さRqが2.0nm以下であることを特徴とする、FPDデバイスを製造するためのマスクブランク。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 G

Fターム (7件)：

2H095BB14 ,  2H095BB27 ,  2H095BB35 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC11 ,  2H095BC26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトマスクブランク及びフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-396138   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト膜の剥離方法及び露光用マスクの製造方法、並びにレジスト剥離装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-069133   出願人：HOYA株式会社
• フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-399790   出願人：HOYA株式会社