特許
J-GLOBAL ID:200903013805628243

耐熱性メソ多孔体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-151751
公開番号(公開出願番号):特開2003-342018
出願日: 2002年05月27日
公開日(公表日): 2003年12月03日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、焼成による脱テンプレート処理で構造破壊を引き起こしていない、Si/Al(原子比)の低い耐熱性のアルミニウム含有メソ多孔体を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明の課題は、焼成による脱テンプレート処理後に、X線回折パターン(Cu-Kα線)において2θ=2.0〜2.5°の範囲にヘキサゴナル構造のd<SB>100</SB>に帰属されるピークを有し、窒素吸着等温線においてP/P<SB>0</SB>=0.2〜0.6の範囲の窒素吸着量が全吸着量の20〜60%で、SiとAlの原子比が5<Si/Al(原子比)<15である、ケイ素とアルミニウムからなる耐熱性メソ多孔体によって解決される。
請求項(抜粋):
焼成による脱テンプレート処理後に、X線回折パターン(Cu-Kα線)において2θ=2.0〜2.5°の範囲にヘキサゴナル構造のd<SB>10</SB><SB>0</SB>に帰属されるピークを有し、窒素吸着等温線においてP/P<SB>0</SB>=0.2〜0.6の範囲の窒素吸着量が全吸着量の20〜60%で、SiとAlの原子比が5<Si/Al(原子比)<15である、ケイ素とアルミニウムからなる耐熱性メソ多孔体。
IPC (2件):
C01B 33/26 ,  C01B 39/46
FI (2件):
C01B 33/26 ,  C01B 39/46
Fターム (7件):
4G073BA57 ,  4G073BA63 ,  4G073CE01 ,  4G073FC01 ,  4G073GA03 ,  4G073GA19 ,  4G073UA06
引用特許:
出願人引用 (3件)

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