特許
J-GLOBAL ID：200903013841701151
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-126888
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322903
出願日： 2005年04月25日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 本発明はウェハの上部面のエッジ部と下部面とをエッチングする装置を提供する。【解決手段】 前記装置はウェハを支持する基板支持部とウェハの非エッチング部にエッチングのための流体が流入することを防止する移動可能な保護部を有する。また、ウェハの上部面のエッジ部および下部面に湿式エッチング方法によってエッチングが行われ、ウェハの非エッチング部とエッジ部との境界は乾式エッチング方法によってエッチングが行われる。【選択図】 図19
請求項（抜粋）：
基板をエッチングする基板処理装置において、
回転可能な支持板と前記支持板の上部面から突出されて半導体基板を前記支持台の上部面から離隔されるように支持する支持ピンを有する基板支持部と、
前記支持ピンに置かれた基板と前記支持基板との間に提供された空間にエッチング液を供給してエッチングを実行する湿式エッチング部と、
前記支持板に置かれた基板の上部面のエッジにプラズマを供給してエッチングを実行する乾式エッチング部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101E
, H01L21/306 R
5F004BB13
, 5F004BB24
, 5F004EA10
, 5F004EA40
, 5F043DD13
, 5F043DD15
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE40
