特許
J-GLOBAL ID：200903013860456591

強磁性トンネル接合素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリ

発明者：
佐藤 雅重

佐藤 雅重 について

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梅原 慎二郎

梅原 慎二郎 について

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指宿 隆弘

指宿 隆弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-307987
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124322
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】 良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。バリア層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第1のフリー層が配置されている。第1のフリー層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、第1のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第2のフリー層が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層と、 前記ピンド層の上に配置され、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層と、 前記バリア層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第1のフリー層と、 前記第1のフリー層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、前記第1のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第2のフリー層と
IPC (8件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 41/18 ,  G11B 5/39
FI (8件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01F10/187 ,  H01F41/18 ,  G11B5/39
Fターム (61件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ20 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049AC03 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049FC03 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25 ,  5F092CA26 ,  5F092CA40 ,  5F092EA06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第2871670号公報
審査官引用 (3件)

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